2.5D封装技术关键进展：多芯片集成与高密度互连创新

资源摘要信息: 本文系统阐述了2.5D封装技术的核心结构及其技术特征，包括CoWoS、EMIB和I-Cube等，重点解析了小芯片(Chiplet)模块化设计、硅通孔(TSV)工艺优化、微凸点可靠性提升、铜-铜直接键合界面工程以及再布线层(RDL)多物理场协同设计等关键技术的最新进展。2.5D封装通过硅/玻璃中介层实现高密度互连与多芯片异构集成，具有高带宽、低延迟和小型化优势，广泛应用于人工智能、高性能计算及移动电子领域。未来研究需聚焦低成本玻璃基板、原子层沉积技术抑制界面氧化以及多物理场协同设计等方面，以突破良率和散热瓶颈，推动2.5D封装在后摩尔时代的广泛应用。